中國科學院半導體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)研究室H組致力于研究III-V組化合物半導體晶體材料的生長缺陷及表面處理，研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員1-2名，相關情況如下：
一、 工作方向：
半導體材料的晶體生長、化學腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關研發(fā)工作
二、崗位
III-V族化合物半導體材料的物理化學性質(zhì)測試和相關工藝技術(shù)的研發(fā)工作
三、 人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；
（二）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導體物理、半導體光電子學、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士優(yōu)先；
（三）優(yōu)先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：
a)晶體材料生長技術(shù)：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術(shù)；
b)半導體材料測試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
c)半導體材料模擬；
d)半導體材料化學腐蝕及表面性質(zhì)研究；
（四）有在相關領域發(fā)表專業(yè)文章的經(jīng)歷；
（五）研究生優(yōu)先考慮有半導體化學、工藝制備、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗者。
四、相關待遇：
1. 按照中國科學院及半導體研究所的相關規(guī)定辦理五險一金，薪酬從優(yōu)，面談。
2. 北京戶口有望進入編制。
3. 業(yè)績突出者將享有項目績效。
五、 應聘方式：
（1）應聘者需提交各人詳細履歷 和《崗位應聘申請表》，電子郵件方式發(fā)送至shenguiying@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
六、聯(lián)系方式：
有意者請將個人簡歷及能夠體現(xiàn)個人能力的相關資料發(fā)送至:shenguiying@semi.ac.cn 電話：010-82304848
郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。
注：團隊歡迎在讀研究生來所聯(lián)合培養(yǎng)！
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來源鏈接：
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為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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