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中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所硅基太陽電池及寬禁帶半導(dǎo)體團隊2025年誠聘副研究員、博士后(氮化物半導(dǎo)體方向)

時間:2025-05-30來源:中國博士人才網(wǎng) 作者:佚名

01、實驗室/團隊介紹

光電信息材料與器件實驗室

面向國家“雙碳”目標(biāo)的重大戰(zhàn)略需求和半導(dǎo)體芯片“卡脖子”問題,聚焦光伏、顯示和半導(dǎo)體的核心材料與器件的關(guān)鍵技術(shù),打造高效率太陽電池開發(fā)和發(fā)光材料及高端光學(xué)薄膜制備技術(shù)鏈,實現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件國產(chǎn)化替代,支撐光電產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展及國家重大戰(zhàn)略應(yīng)用。

硅基太陽電池及寬禁帶半導(dǎo)體團隊

團隊主要研究領(lǐng)域包括新型太陽電池、寬禁帶半導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料先進表征技術(shù)開發(fā)等。團隊具備全鏈條半導(dǎo)體器件的加工能力,擁有多款計算仿真模擬平臺。團隊承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院重大裝備項目等科研項目50余項,在Nature Energy、Nature Communications、Joule等雜志上發(fā)表240篇論文,獲得專利授權(quán)50余項。

02、導(dǎo)師介紹

團隊負責(zé)人

葉繼春,研究員,光電信息材料與器件實驗室主任。博士畢業(yè)于美國加州大學(xué)戴維斯分校。曾先后在美國飛索半導(dǎo)體公司、加州太陽能公司(Calisolar Inc.)、阿爾他器件公司(Alta Devices Inc.)擔(dān)任高級工程師,目前擔(dān)任寧波材料所-甬江實驗室超寬禁帶聯(lián)合研究中心主任,第十六屆寧波市政協(xié)委員,寧波材料所學(xué)術(shù)委員會副主任、浙江省能源光電子材料與器件工程中心副主任等職務(wù)。在Nature Energy等雜志上發(fā)表300余篇論文,發(fā)表專著4篇,翻譯著作1部,申請專利260余項,授權(quán)110余項,2個項目實現(xiàn)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,課題組先后承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃8項、國家自然科學(xué)基金20項、中科院重大裝備項目2項獲中國科學(xué)院及國科創(chuàng)投基金的支持,成立中科研和公司,致力于先進裝備及技術(shù)的開發(fā)。

合作導(dǎo)師

郭煒,研究員,國家高層次人才計劃,光電信息材料與器件實驗室副主任。博士畢業(yè)于美國北卡羅來納州立大學(xué)。曾擔(dān)任美國應(yīng)用材料有限公司研發(fā)工程師,2016年加入中科院寧波材料所。長期從事氮化物超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究。主持了國家高層次人才特殊支持計劃青年項目、國家自然科學(xué)基金區(qū)域創(chuàng)新聯(lián)合基金、浙江省杰青、中科院科研儀器設(shè)備研制項目等課題。在領(lǐng)域權(quán)威期刊上發(fā)表相關(guān)學(xué)術(shù)論文100余篇、引用3000余次、申請發(fā)明專利40項。

03、崗位詳情

崗位名稱:氮化物寬禁帶半導(dǎo)體方向副研究員

1)崗位職責(zé)

1.開展GaN、AlN等寬禁帶半導(dǎo)體材料外延以及GaN功率芯片、光電芯片相關(guān)研究,發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文;

2.獨立或協(xié)助課題組申請國家及地方課題,進行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用及對外合作;

3.指導(dǎo)博士及碩士研究生,參與學(xué)科建設(shè)、提升學(xué)科影響力。

2)任職要求

1.已獲得博士學(xué)位,年齡一般不超過35周歲,具有良好的學(xué)術(shù)背景,較強的獨立思考、科研和創(chuàng)新能力;

2.有扎實的半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體光電子器件基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣。有薄膜外延生長或半導(dǎo)體器件相關(guān)經(jīng)驗的優(yōu)先;

3.以第一或通訊作者發(fā)表過高水平學(xué)術(shù)論文或主持過國家、省部級科研項目的候選人優(yōu)先;

4.具有良好的英文文獻調(diào)研、學(xué)術(shù)交流與寫作能力、較強的溝通協(xié)調(diào)能力和團隊合作精神。

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崗位名稱:寬禁帶半導(dǎo)體方向博士后

1)崗位職責(zé)

1.承擔(dān)寬禁帶半導(dǎo)體材料外延、器件研發(fā)的科研任務(wù);

2.發(fā)表高水平科研論文并積極申請博士后基金等項目;

3.協(xié)助指導(dǎo)研究生,管理實驗室重要科研設(shè)備。

2)任職要求

1.熟悉微電子器件物理與工藝,有晶體管和LED器件設(shè)計制備經(jīng)驗者優(yōu)先考慮;

2.具有扎實的專業(yè)知識和實驗技能,在國際學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表過相關(guān)學(xué)術(shù)論文;

3.有濃厚的科研興趣,團隊協(xié)作精神和獨立開展工作的能力。

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04、高層次人才待遇

1. 基礎(chǔ)薪酬

●具有競爭力的薪酬待遇,根據(jù)崗位具體面議

2. 科研經(jīng)費

●提供具有國際競爭力的科研經(jīng)費支持,詳細支持情況面議

3. 人才津貼

●入選國家級引才項目獲得的各級人才津貼到位后一次性發(fā)放個人

4. 福利保障

●解決義務(wù)教育階段子女入學(xué)、入托

●帶薪休假、五險二金、人才公寓(可拎包入住)、職工食堂、專屬體檢、工會福利等

5. 其他補貼

●寧波市對高級到頂尖人才按照不同層次給予15-300萬安家補助

●高級到特優(yōu)人才按照不同層次給予20-60萬購房補貼

6. 培養(yǎng)政策

●根據(jù)人才的成長情況,可享受本土升級獎勵、青年人才精英獎勵、領(lǐng)軍和拔尖人才培育等寧波市相關(guān)政策

7. 交流津貼

●與實驗室初步交流后,人才自行規(guī)劃往返行程,考察交流、試聘試崗期間,依據(jù)實際在所交流時間確定津貼金額(6000元起)

05、博士后待遇

1. 薪酬津貼

●海外優(yōu)秀博士畢業(yè)生博士后:在站薪酬最高可達75萬/年(包含入選國家相關(guān)支持專項的補貼);

●國內(nèi)優(yōu)秀博士畢業(yè)生博士后:在站薪酬可達65萬/年(含入選的國家博士后計劃);

●未入選國家任何博士后計劃者:博士后起薪為40萬/年;

薪酬均為稅前薪酬,包括單位繳納的五險一金;

2. 科研經(jīng)費

●提供一定科研經(jīng)費,最高可提供100萬;

3. 職業(yè)發(fā)展

●博士后出站,符合條件可以申請中國科學(xué)院青年人才計劃支持;

●符合條件的優(yōu)秀博士后提供破格申請甬江人才工程個人項目的機會,最高100萬元個人獎補;

4. 留甬補貼

●博士后出站留所工作享受留甬補貼40萬;

●博士后去寧波企業(yè)可享受留甬補貼60萬;

5. 福利保障

●五險一金、帶薪年休假、職工食堂、免費體檢、工會福利等;

6. 其他補貼

●符合條件的世界排名前200高校博士畢業(yè)生可享受寧波市發(fā)放生活補助10萬。

06、聯(lián)系方式

聯(lián)系人:郭老師

郵箱:guowei@nimte.ac.cn

電話:0574-87913275

信息來源于網(wǎng)絡(luò),如有變更請以原發(fā)布者為準(zhǔn)。

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