深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院簡介
中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院（以下簡稱"先進(jìn)院"）于2006年由中國科學(xué)院、深圳市政府、香港中文大學(xué)協(xié)商共建，定位工業(yè)研究院。深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院（以下簡稱"電子材料研究院"）隸屬于先進(jìn)院，已初步建成國內(nèi)最完善的電子封裝材料研究和開發(fā)的技術(shù)平臺，并擁有一支由近200人組成的研發(fā)團(tuán)隊。電子材料研究院基于先進(jìn)院先進(jìn)材料研究中心十余年的研究基礎(chǔ)，致力于圍繞高密度集成電路關(guān)鍵材料的基礎(chǔ)關(guān)鍵問題與應(yīng)用研究，與境內(nèi)外著名高等院校、深圳市及華南地區(qū)著名企業(yè)包括美國佐治亞理工學(xué)院、香港中文大學(xué)、香港科技大學(xué)、清華大學(xué)、中南大學(xué)、中科院微電子所、深圳大學(xué)、中興、風(fēng)華高科、美的、深南電路有限公司等建立了廣泛和深入的合作，是我國目前人才、硬件平臺、應(yīng)用驗證最完整的整建制專注于先進(jìn)電子材料研發(fā)與應(yīng)用的團(tuán)隊�，F(xiàn)有試驗用地4萬平方米，設(shè)備資產(chǎn)過億元，具備完善的材料檢測分析平臺以及電子封裝材料的驗證平臺。累計獲批政府、企業(yè)、投資基金等項目經(jīng)費(fèi)逾3億元；申請專利400余件；孵化高端電子材料企業(yè)4家；建立企業(yè)聯(lián)合實驗室9個；建立粵港澳大灣區(qū)先進(jìn)材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟；參與中國熱管理材料與技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟；已初步建成研究-產(chǎn)業(yè)微創(chuàng)新平臺。
團(tuán)隊依托深圳特殊的地緣和集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，在解決電子材料關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)問題的基礎(chǔ)上，建設(shè)熱管理與散熱材料、晶圓級封裝關(guān)鍵材料等六個基礎(chǔ)平臺，晶圓級互連加工驗證等七個中試線平臺，逐步建設(shè)成為成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的示范基地，支撐粵港澳大灣區(qū)國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)�，F(xiàn)誠邀海內(nèi)外優(yōu)秀人才加入我們團(tuán)隊。
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先進(jìn)材料科學(xué)與工程研究所簡介
中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院先進(jìn)材料科學(xué)與工程研究所（以下簡稱"材料所"）下設(shè)先進(jìn)電子材料研究中心、材料界面研究中心和光子信息與能源材料研究中心。其中，先進(jìn)電子材料研究中心主要從事面向集成電路先進(jìn)封裝關(guān)鍵材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用工作。已初步建成國內(nèi)最完善的電子封裝材料研究和開發(fā)的技術(shù)平臺，并擁有一支由近100人組成的研發(fā)團(tuán)隊。十余年來，圍繞先進(jìn)封裝關(guān)鍵材料的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究，與境內(nèi)外著名高校、研究所以及企業(yè)包括美國佐治亞理工學(xué)院、香港中文大學(xué)、香港科技大學(xué)、清華大學(xué)、中南大學(xué)、中科院微電子所、南方科技大學(xué)、華為、中興、長電先進(jìn)、華天科技、風(fēng)華高科、深南電路等有廣泛和深入的合作，是我國目前人才、硬件平臺、應(yīng)用驗證最完整的整建制專注先進(jìn)電子材料研發(fā)與應(yīng)用的團(tuán)隊。團(tuán)隊先后承擔(dān)建設(shè)了高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室(封裝材料分室)、深圳市電子封裝材料工程實驗室、深圳市高密度電子封裝與器件集成關(guān)鍵技術(shù)重點(diǎn)實驗室、廣東省高密度電子封裝關(guān)鍵材料重點(diǎn)實驗室、先進(jìn)電子封裝材料國家地方聯(lián)合工程實驗室等一系列研發(fā)平臺。2012年，獲批"先進(jìn)電子封裝材料廣東省創(chuàng)新團(tuán)隊"，團(tuán)隊核心成員均為電子封裝材料領(lǐng)域知名專家，大部分具有國內(nèi)外一流大學(xué)或科研機(jī)構(gòu)的教育背景和工作經(jīng)歷，并且研究方向和專業(yè)特長互相補(bǔ)充,專業(yè)背景涵蓋了物理、化學(xué)、高分子、器件設(shè)計等各個專業(yè)，建立了良好的理論與實驗研究平臺。
團(tuán)隊現(xiàn)有實驗用地4萬平方米，設(shè)備資產(chǎn)過億元,具備完善的材料檢測分析平臺以及電子封裝材料的驗證平臺。累計獲得政府、企業(yè)、投資基金等各類資金近1.5億元，申請專利400余件。團(tuán)隊依托深圳特殊的地緣和集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，在解決電子材料關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)問題的基礎(chǔ)上，建設(shè)熱管理與散熱材料、晶圓級封裝關(guān)鍵材料等六個基礎(chǔ)平臺，晶圓級互連加工驗證等七個中試線平臺，逐步建設(shè)成為成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的示范基地。2019年，中心承擔(dān)了深圳市十大新型基礎(chǔ)研究機(jī)構(gòu)-深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院的建設(shè)，深圳市和寶安區(qū)將投入大量研究經(jīng)費(fèi)和提供充足物理空間，來打造先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研發(fā)平臺�，F(xiàn)誠邀海內(nèi)外優(yōu)秀人才加入我們團(tuán)隊。
招聘需求發(fā)布申請：研究員&副研究員&助理研究員&博士后&高級工程師&研發(fā)工程師
 
先進(jìn)電子材料研究中心簡介
中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院先進(jìn)電子材料研究中心長期致力于圍繞高密度集成電路關(guān)鍵材料的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究，與境內(nèi)外著名高等院校、深圳市及華南地區(qū)著名企業(yè)包括美國佐治亞理工學(xué)院、香港中文大學(xué)、香港科技大學(xué)、清華大學(xué)、中南大學(xué)、中科院微電子所、深圳大學(xué)、華為、中興、風(fēng)華高科、美的、深南電路有限公司等有廣泛和深入的合作。團(tuán)隊先后成立了高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室(封裝材料分室)、承建了深圳市電子封裝材料工程實驗室、深圳市高密度電子封裝與器件集成關(guān)鍵技術(shù)重點(diǎn)實驗室、廣東省高密度電子封裝關(guān)鍵材料重點(diǎn)實驗室、先進(jìn)電子封裝材料國家地方聯(lián)合工程實驗室。2012年，獲批"先進(jìn)電子封裝材料廣東省創(chuàng)新團(tuán)隊"，團(tuán)隊核心成員均為電子封裝材料領(lǐng)域知名專家。該中心團(tuán)隊已經(jīng)擁有一支70余人的研究隊伍，具有博士學(xué)位的科研人員共15人，其中，教授/研究員6人，副研究員6人，大部分具有國內(nèi)外一流大學(xué)或科研機(jī)構(gòu)的教育背景和工作經(jīng)歷，并且研究方向和專業(yè)特長互相補(bǔ)充,專業(yè)背景涵蓋了物理、化學(xué)、高分子、器件設(shè)計等各個專業(yè)，建立了良好的理論與實驗研究平臺。其中，該中心的材料計算模擬團(tuán)隊致力于采用計算機(jī)模擬（包括分子模擬、有限元分析）以及統(tǒng)計力學(xué)方法，研究電子封裝相關(guān)材料的微觀結(jié)構(gòu)、可靠性等相關(guān)性質(zhì)。
目前，中心已發(fā)表相關(guān)學(xué)術(shù)論文近400篇，其中影響因子大于3的有80余篇，包括Adv. Mater., Energy Environ. Sci., Nano Energy, Chem. Mater.等國際著名刊物。申請專利300余件，已授權(quán)專利近150件。
招聘需求發(fā)布申請：博士后
 
孫蓉老師課題組簡介
先進(jìn)材料科學(xué)與工程研究所（籌）（以下簡稱"材料所"）隸屬于中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院，成立于2019年1月1日。材料所下設(shè)先進(jìn)電子材料研究中心、材料界面研究中心和光子信息與能源材料研究中心，三個中心均已有多年的材料研發(fā)及其成套工藝研發(fā)經(jīng)驗。材料所聚焦于電子材料、功能材料和光電材料等領(lǐng)域的前沿研究及規(guī)模量產(chǎn)成套工藝開發(fā)，依托基礎(chǔ)科學(xué)突破和核心技術(shù)優(yōu)勢，不遺余力地推進(jìn)研究成果的產(chǎn)業(yè)化。
材料所現(xiàn)有人員186人，三個中心累計獲批競爭性科研經(jīng)費(fèi)近3億元，發(fā)表論文逾400篇，申請專利400余件，已獲授權(quán)150余件，孵化高端電子材料企業(yè)4家，建立企業(yè)聯(lián)合實驗室9個。其中，2018年度，三個中心共獲批項目經(jīng)費(fèi)5239.08萬元，發(fā)表論文131篇，申請專利96件項，授權(quán)專利50件，申請PCT10件。

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