中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)是集半導體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)集成應用的國家級綜合性研究所，于1960年在北京成立。半導體所現(xiàn)有在職職工680余名。中國科學院院士7名，中國工程院院士2名，高層次引進人才計劃入選者30人，國家“萬人計劃”入選者6人，國家杰出青年科學基金獲得者18人，“百千萬人才工程”入選者11人。
設有3個博士后流動站，4個一級學科博士培養(yǎng)點，1個工程博士培養(yǎng)點，3個工程碩士培養(yǎng)點。
中國科學院半導體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊伍、科研平臺和教學基地。物理研究--半導體超晶格國家重點實驗室；材料研究--中科院半導體材料科學重點實驗室；光電子器件研究--集成光電子學國家重點實驗室、國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程技術研究中心、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、中科院固態(tài)光電信息技術重點實驗室以及納米光電子、全固態(tài)光源和光電系統(tǒng)實驗室；半導體工藝平臺--半導體集成技術工程研究中心并牽頭北京信息電子大型儀器區(qū)域中心；特色微電子--高速電路、生物醫(yī)療、基于神經網絡的芯片及系統(tǒng)等。半導體所是中國科學院半導體材料與光電子器件卓越創(chuàng)新中心的依托單位，中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，材料科學與工程入選國家一流學科。在相關研究領域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果，近年來獲得國家自然科學獎、國家科技進步獎等多項獎勵，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
根據(jù)戰(zhàn)略發(fā)展需要，現(xiàn)誠邀海內外優(yōu)秀青年科技人才依托半導體研究所申報國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）。
一、主要研究方向
凝聚態(tài)物理；半導體量子結構物理；半導體器件物理；先進半導體材料及應用；半導體光電子器件及集成；半導體微納結構與器件；高功率全固態(tài)激光及應用；人工神經網絡與智能芯片；半導體激光傳感與成像；其他半導體新興研究領域。
二、申請人條件
（一）出生日期在1980年9月1日以后；
（二）在2021年4月30日前，一般應在海外高校、科研機構、企業(yè)研發(fā)機構獲得正式教學或者科研職位，且具有連續(xù)36個月以上工作經歷；
（三）申請人尚未全職回國（來華）工作，或者2019年9月1日以后回國（來華）工作。獲資助通知后須辭去海外工作或在海外無工作，全職到崗工作。
詳細申報條件請參見《國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）項目指南》或網址
http://m.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab948/info79820.htm
三、崗位待遇
正式入選國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外），研究所將給予入選者如下崗位待遇：
（一）聘任為研究員崗位、博士生導師；
（二）允許設立獨立課題組，協(xié)助建立研究團隊；
（三）800萬元以上的科研啟動經費；
（四）年薪70萬元/年以上；
（五）100萬元生活補貼；
（六）提供科研所需的辦公和實驗用房；
（七）享受研究所長租房相關政策；
（八）協(xié)助解決子女入學。
四、追加支持
通過中科院終期評估的入選者可獲得如下支持：
（一）終期評估結果為良好的，追加20萬元住房補貼；
（二）終期評估結果為優(yōu)秀的，追加200萬元科研經費及50萬元住房補貼。
五、申請程序
（一）歡迎來電來信咨詢，并將簡歷及代表性成果發(fā)送至zhaopin@semi.ac.cn；
（二）通過遴選的申請人與半導體所簽訂工作意向協(xié)議書，依托半導體所申報國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）。
六、聯(lián)系方式
地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號（郵編：100083），中國科學院半導體研究所人事處
聯(lián)系人：吳老師、徐老師
郵箱：zhaopin@semi.ac.cn，郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名 。
電話：86-10-82304192，86-10-82304307
中國科學院半導體研究所
2021年2月9日
來源：
http://www.semi.cas.cn/zszp/202102/t20210209_5891651.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
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