| 院系/所/中心（School） | 信息科學技術學院微納電子學系黃如團隊 |
| 合作導師（Mentor） | 黃如院士 |
| 研究專業(yè)/方向Department/Area | 微電子學與固體電子學/半導體新器件；物理學/半導體物理 |
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年薪標準 AnnualSalary |
基本待遇（包括五險一金、博士后住房補貼、博士后公寓或租房補貼等）按北京大學博士后流動站相關規(guī)定執(zhí)行；根據(jù)北京市博士后管理政策辦理有關落戶事宜。 視申請人背景提供不低于25萬的年薪，并視每年度工作完成情況提供科研獎勵津貼。符合條件并申請成功國家“博新計劃”等博士后項目或北京大學“博雅博士后”項目者，另享相關待遇；在站期間取得的學術成果享受學校相關獎勵政策。 |
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職位描述 PositionDescription |
在黃如院士、唐克超研究員課題組全職從事半導體材料和集成微納電子器件的相關工作，研究方向包括但不限于：1）高質(zhì)量鐵電材料的生長方法。2）FeFET器件的設計，制備和測試。3）氧化物薄膜材料在存儲器件中的新應用 |
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候選人基本條件 BasicQualifications |
在國內(nèi)外知名高校或研究所獲得物理、材料、微電子、電子工程等相關專業(yè)博士學位； 具有良好的英語讀寫能力，近三年內(nèi)在相關領域權威期刊或頂級會議發(fā)表過第一作者研究論文至少1篇； 熱愛科研工作，具有從事創(chuàng)新性研究的熱情、高度的責任心、良好的職業(yè)道德和團隊合作精神； 年齡在35周歲以下，獲得博士學位不超過3年；須全職從事博士后研究工作。 |
| 候選人附加條件AdditionalQualifications |
優(yōu)先考慮具有以下相關研究經(jīng)驗的申請人 1.氧化鉿鐵電材料與鐵電器件（FeRAM,FeFET,FTJ） 2.納米氧化物薄膜的生長與表征 3.半導體器件工藝集成技術 |
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申請材料 ApplicantDocuments |
申請人簡歷及能體現(xiàn)個人能力得相關資料（包括但不限于個人情況、教育經(jīng)歷、研究經(jīng)歷、科研能力、技術背景、代表性論文、論文成果目錄等）。 |
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聯(lián)系人 ContactInformation |
唐克超（郵件地址：tkch@pku.edu.cn） |
| 備注(Remark) | 初選通過后，郵件通知候選人；申請材料恕不退回。 |
| 截止日期（DueDate） | 歡迎申請，長期有效，招滿為止。 |
https://postdocs.pku.edu.cn/zpxx/zwxx/xxkxjzxy/127421.htm
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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