閩都創(chuàng)新實驗室（以下簡稱“實驗室”）于2019年9月獲得福建省委省政府授牌成立，是福建省首批四家省級創(chuàng)新實驗室之一。實驗室由福州市人民政府牽頭，依托中國科學院福建物質結構研究所和福州大學建設。實驗室主任為中國科學院院士、福建物質結構研究所研究員洪茂椿。
實驗室坐落于福建福州閩侯高新區(qū)光電產業(yè)基地，總體規(guī)劃50畝，首期計劃投資經費超過27億元，總建筑面積達7.6萬余平米，工作環(huán)境優(yōu)美，科研氛圍濃厚。實驗室圍繞光電信息科技與產業(yè)領域，布局戰(zhàn)略性先進光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知等三大研究方向。目前有40多個高水平科研團隊入駐實驗室，已部署多個科研項目，并擁有多項具有產業(yè)化應用前景的科研成果。
實驗室秉持“人才互聘、成果共享、不為所有、但為所用”的人才理念，向全球招募高水平科研團隊入駐實驗室。根據(jù)實驗室發(fā)展需求，實驗室擬與依托單位中國科學院福建物質結構研究所及福州大學聯(lián)合招收博士后。
一、招聘需求
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研究方向 |
招聘人數(shù) |
崗位職責 |
崗位要求 |
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多孔GaN單晶、大尺寸GaN單晶厚膜研究 |
3 |
1、多孔GaN單晶可控制備、性能及應用研究； 2、大尺寸GaN單晶厚膜的制備、性能及應用研究； 3、主導/參與科研項目申報，參與指導課題組研究生； 4、協(xié)助完成課題組安排的其他崗位相關工作任務。 |
1、材料學、材料化學、材料物理與化學、凝聚態(tài)物理等相關專業(yè)； 2、研究方向包括多孔GaN單晶晶體之生長、性能及應用開發(fā)、氧化物晶體材料之氮化轉化研究、3D單晶交聯(lián)GaN納米結構之制備、性能及應用開發(fā)、新穎寬能隙半導體材料的晶體生長與性能研究、非極性GaN晶體、薄膜和納米材料生長及其光電性能研究； 具有半導體等相關專業(yè)背景，具有半導體單晶制備、MOCVD、HVPE、CVD外延相關研究經驗者優(yōu)先考慮； 3、具備較強的英語閱讀和寫作能力，能獨立從事課題研究工作者優(yōu)先錄用。 |
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納米材料的電性能研究 |
3 |
1、納米材料的可控制備以及電化學性能研究； 2、主導/參與科研項目申報，參與指導課題組研究生； 3、協(xié)助完成課題組安排的其他崗位相關工作任務。 |
1、化學、納米材料、電化學方向，具有納米材料合成、電化學研究經驗者優(yōu)先考慮； 2、具備較強的英語閱讀和寫作能力，能獨立從事課題研究工作者優(yōu)先錄用。 |
二、薪酬福利
1、薪酬待遇：執(zhí)行實驗室現(xiàn)有的具有市場競爭力的薪酬標準。博士后27.5萬元/年，精英/英才博士后37萬元/年；出站績效5-10萬；
2、按照國家有關政策規(guī)定繳納五險一金；
3、提供博士后公寓或者租房補貼；
4、在站期間，符合條件的博士后優(yōu)先申請認定國家、省市高層次人才計劃，與薪酬待遇疊加；
5、支持博士后申請各類項目資助；
6、期滿出站后由閩都創(chuàng)新實驗室優(yōu)先錄用。
三、應聘流程
1、在國內外知名高校、科研院所獲得博士學位不超過3年，年齡在35周歲及以下；申請從事第二站及以上博士后研究工作的人員，獲博士學位的年限不受限制；
2、研究方向要與實驗室學科布局和發(fā)展目標密切相關；
3、具有開展創(chuàng)新性科研工作的能力、良好的團隊合作精神、嚴謹求實的優(yōu)良學風；
4、身體健康，能夠全職入駐實驗室開展研究工作。
四、應聘材料
1、個人簡歷、博士學歷/學位證書、身份證復印件等；
2、發(fā)表學術成果目錄、獲獎證明、專利證書復印件、成果轉化情況證明材料，以及本人認為有必要提供的其他相關材料。
五、聯(lián)系方式
1、聯(lián)系電話：+86-（0）591-63173852，13459196744林老師
2、接收郵箱：材料以“博士后+姓名+專業(yè)+擬研究方向 ”命名發(fā)送至：Talentsfjoel.cn
3、實驗室網(wǎng)址：http://fjoel.cn/
4、更多博士后招聘信息，敬請關注實驗室官網(wǎng)。
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http://fjoel.cn/rczp/shzp/202304/t20230426_740786.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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