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中國科學院半導體研究所半導體物理研究室駱軍委課題組2024年招聘2名研發(fā)人員啟事

時間:2024-07-23來源:中國博士人才網(wǎng) 作者:佚名

中國科學院半導體研究所半導體物理研究室駱軍委團隊致力于“后摩爾時代”四族硅基發(fā)光材料與光源的理論與實驗研究工作,擬聘用崗位主要針對課題組提出的原創(chuàng)的硅基片上發(fā)光理論進行深入的實驗驗證工作。根據(jù)工作需要,擬招聘研發(fā)人員2名,相關(guān)情況如下:

一、         工作方向:

半導體材料的晶體生長、缺陷分析與表征、半導體器件制備與測試、半導體物理等相關(guān)研發(fā)工作。

二、         崗位

四族硅基高效發(fā)光材料與光源的制備研發(fā)工作

三、         人選要求:

(一)熱愛科研工作,踏實努力,具有責任心和團隊合作精神;該研究方向具有一定挑戰(zhàn)性,需心態(tài)平和且能持之以恒的科研研發(fā)人選;

(二)優(yōu)先招聘能穩(wěn)定長期工作且潛心科研3-5年及以上人員,該崗位不招短期工作人員;

(三)具有如下專業(yè)背景(任一):半導體物理、半導體光電子學、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀本科畢業(yè)生或以上;

(四)優(yōu)先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者:

a) 晶體材料的生長技術(shù);

b) 離子注入與退火技術(shù);

c) 半導體材料缺陷測試與表征技術(shù):XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等;

d) 半導體材料的能帶結(jié)構(gòu)分析與光學性能測試表征技術(shù):FTIR、PL等;

(五)優(yōu)先考慮有半導體材料制備、器件工藝、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗者。

四、         相關(guān)待遇:

按照中國科學院及半導體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險一金,薪酬從優(yōu),面談。

五、         應聘方式:

(1)應聘者需提交個人詳細履歷和《崗位應聘申請表》,電子郵件方式發(fā)送至jwluo@semi.ac.cn;

(2)初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試。

六、         聯(lián)系方式:

有意者請將個人簡歷及能夠體現(xiàn)個人能力的相關(guān)資料發(fā)送至:jwluo@semi.ac.cn 。郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX(姓名)”,初選合格者將通知面試,未入選者恕不逐一回復。

 

  附件列表:
  附件下載>>>> 半導體所崗位應聘申請表.doc
 

信息來源于網(wǎng)絡(luò),如有變更請以原發(fā)布者為準。

來源鏈接:

 

http://www.semi.cas.cn/zszp/202407/t20240718_7230501.html

為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標題格式:應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))

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